臺積電的CoWoS-L技術已引起NVIDIA的高度關注。作為3D Fabric平臺的重要組成部分，CoWoS-L是CoWoS-S技術的延伸版本。其中，“L”代表局部矽互連（LSI），通過類似“矽橋”的技術，結合RDL中介層形成“重構中介層”。

CoWoS-L技術憑借更高的布線密度和嵌入式深溝槽電容（eDTC），能夠實現更大尺寸的高效運算（HPC）芯片異質整合。其光罩尺寸可達3.3倍以上，甚至向4倍、5倍乃至9倍邁進，可整合的高帶寬存儲器（HBM）數量超過12顆。

進入2025年第四季度，CoWoS產能持續緊張，成為AI芯片封裝不可或缺的關鍵制程。市場消息稱，2026年臺積電約50%的CoWoS-L產能將優先供應NVIDIA的AI GPU芯片，但即便如此，NVIDIA仍面臨不小的產能缺口。